淄博正高电气有限公司
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ENTERPRISE
企业介绍
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2026-01
当正向电压接近额定重复峰值电压(V_RRM)时,PN结耗尽层电场强度升高,易产生热电子发射,导致漏电流增大;反向电压过高则可能引发PN结击穿,形成长久性损坏。此外,频繁的开关操作(如斩波控制、移相控制)会产生开关损耗,导致芯片局部
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2026-01
普通晶闸管模块的结构设计以功率承载和绝缘散热为重点,不包含任何控制电路,所有控制逻辑均需依靠外部设备实现。晶闸管移相调压模块是功率电路与控制电路的高度集成,属于“模块化的电力电子系统”,其结构可分为四大重点单元,各单元协同工作实现
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2026-01
动态负载适应能力弱:当负载出现快速波动(如电机启动、冲击性负载投入)时,自耦变压器因响应延迟较长,无法及时调整输出电压,导致电压偏差超出允许范围(通常要求电压波动≤±5%)。例如,当负载电流突然增大时,自耦变压器需在检测到电压跌落
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2026-01
晶闸管,全称晶体闸流管(Thyristor),又被称为可控硅(SiliconControlledRectifier,SCR),是一种具有四层三端结构的半导体器件。其内部结构由P型半导体和N型半导体交替组成,形成PNPN结构。这四个
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2026-01
触发电路性能限制:触发电路是控制晶闸管导通角的重点,若触发电路的移相范围不足(如移相角只能达到15°-165°,而非理论0°-180°),会直接限制模块的调压范围。例如,移相角较小为15°时,对应输出电压约为输入电压的25%,无法
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2026-01
快速抑制电压波动:在电网电压波动或负载突变场景中,晶闸管调压模块的快速响应能力可有效抑制电压偏差。电网电压跌落时,模块通过增大导通角提升输出电压,响应时间≤50ms,可将电压偏差控制在±3%以内;而自耦变压器需100-200ms才
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